中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择在线配资门户，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
全文如下碳化硅衬底｜高压快充趋势驱动行业扩产降本，8英寸导电型衬底蓄势待发
碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游在线配资门户，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
▍碳化硅衬底是整个产业链的核心上游。
以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高频、高功率等条件的新一代半导体器件。据CASA，碳化硅衬底占器件制造成本的47%，是SiC器件制造的核心环节。碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型两类：导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。其下游应用广泛，涉及新能源汽车、光伏、工业、交通运输、通信基站以及雷达等领域的十余个行业。
▍需求端：新能源汽车驱动导电型碳化硅衬底高增长，半绝缘碳化硅衬底替代硅基占据射频器件市场份额。
导电型衬底方面，增量来自于新能源高电压平台订单放量。半绝缘型衬底方面，根据Yole预测，2025年功率在3W以上的射频器件市场中，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。根据Yole统计，2022年全球导电型/半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12/2.42亿美元，预计2026年全球碳化硅市场规模为20.53亿美元，导电型和半绝缘型碳化硅衬底市场规模将分别达到16.20亿美元和4.33亿美元，2022-2026年期间导电型和半绝缘型碳化硅衬底市场规模的CAGR分别为33.37%和15.66%。
▍供给端：全球6英寸导电型碳化硅衬底降本提速，8英寸导电型碳化硅衬底大规模量产有望突破。
2023年以来，全球碳化硅半导体市场快速发展并已经迎来放量期，国际巨头纷纷加大投入实施扩产计划，国内企业纷纷跟进扩产，根据各公司公告的数据，总产能有望从2022年的62万片/年扩产至2026年的600万片/年~650万片/年，CAGR超过了70%。从供应链的角度来看，6英寸SiC器件市场已经进入红海时代，8英寸是SiC厂商未来的破局之道，国内多家厂商均有8英寸衬底相关扩产计划，目前已有超10家企业的8英寸SiC衬底进入了送样、小批量生产阶段，有望迎来放量突破。
▍价格端：CASA预测碳化硅衬底价格每年下降5%-10%，我们预计未来仍然有15%-30%的下降空间。
根据集微咨询数据，国际市场2023年6英寸N型衬底约780美元/片，批量订单中8英寸衬底价格是6英寸价格3倍，预计2026年8英寸衬底价格下降至1800美元/片。近期国内6英寸碳化硅衬底与国际供应商的报价差异已经扩大至30%。根据CASA预测，未来SiC衬底价格将以每年5%-10%的速度下降，我们预计碳化硅衬底价格未来仍然有15%-30%的下降空间，当下游碳化硅功率器件成本下降至硅基功率器件的2~2.5倍时，预计碳化硅功率器件将逐步替代硅基功率器件。
▍风险因素：
行业竞争加剧风险；高压快充渗透率不及预期；产能建设不及预期；碳化硅衬底成本降低不及预期；国家产业政策变化风险；贸易摩擦风险。
▍投资策略：
碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
文章为作者独立观点，不代表炒股配资门户观点
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